Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2829-TR1G
Herstellerteilenummer | HSMS-2829-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2829-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2829-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - Cross Over |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 15V |
Strom - max | 1A |
Kapazität @ Vr, F | 1pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 12 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2829-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2829-TR1G-FT |
BAR6402VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAT6302VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BAR6702VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA 892-02V E6127
Infineon Technologies
BA 892-02V E6327
Infineon Technologies
BA 892-02V E6433
Infineon Technologies
BA89202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
XC4005XL-1TQ144I
Xilinx Inc.
A54SX16P-TQ144
Microsemi Corporation
XC4005XL-2PQ100C
Xilinx Inc.
10AX027H2F34I2LG
Intel
A54SX16A-2TQ100I
Microsemi Corporation
M1A3P600L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX65CU17C5N
Intel
10AX016E3F27E2LG
Intel
EP1K10QC208-2
Intel