Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2865-TR1
Herstellerteilenummer | HSMS-2865-TR1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2865-TR1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2865-TR1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.3pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2865-TR1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2865-TR1-FT |
BA89202VH6327XTSA1
Infineon Technologies
BA89202VH6433XTMA1
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
LCMXO2-2000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC4010XL-3PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-FG144I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-CSG81I
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG484
Microsemi Corporation
5SGSMD5K2F40C2LN
Intel
XC4VFX40-10FF672I
Xilinx Inc.
LFE2-50E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX022E3F29E1HG
Intel