Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-2865-TR2G
Herstellerteilenummer | HSMS-2865-TR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-2865-TR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-2865-TR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Independent |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.3pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | - |
Verlustleistung (max.) | - |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-2865-TR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-2865-TR2G-FT |
BAR 50-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 50-02V E6768
Infineon Technologies
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
XCV600-6FG676C
Xilinx Inc.
XCVU095-2FFVD1517I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LFE2M100E-7F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF256A7G
Intel
10CL010YM164I7G
Intel
XA6SLX45-2CSG324I
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-3BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF35I3
Intel
EP1S30F780C6
Intel