Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-8207-TR1G
Herstellerteilenummer | HSMS-8207-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-8207-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-8207-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | 75mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8207-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-8207-TR1G-FT |
BAR 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
XC6SLX100T-2FGG484I
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95DF25I3
Intel
EP4SE530H35C3ES
Intel
LFE2-12SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-8LFN484I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA9U19C7N
Intel
5CGXFC7D6F31I7
Intel
EP3CLS150F780C8N
Intel
EP1SGX40GF1020I6N
Intel