Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-8207-TR2G
Herstellerteilenummer | HSMS-8207-TR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-8207-TR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-8207-TR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | 75mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8207-TR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-8207-TR2G-FT |
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC2V250-5FGG456C
Xilinx Inc.
XC6SLX25-N3FG484C
Xilinx Inc.
EP1M120F484C7ES
Intel
EP4CE6E22C8N
Intel
5SGXEA3K2F35C2LN
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
AGLP060V2-CSG289I
Microsemi Corporation
LFXP15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4N
Intel
EP20K200CB356C7
Intel