Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-8207-TR2G
Herstellerteilenummer | HSMS-8207-TR2G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-8207-TR2G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-8207-TR2G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - 2 Pair Series Connection |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | 75mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8207-TR2G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-8207-TR2G-FT |
BAR 64-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD8N3F45C4N
Intel
XC6VCX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
5CGXFC5C7F23C8N
Intel
10AX066K2F35E2LG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel
EP4SGX110DF29C4
Intel