Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-8209-BLKG
Herstellerteilenummer | HSMS-8209-BLKG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-8209-BLKG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-8209-BLKG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - Cross Over |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | 75mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8209-BLKG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-8209-BLKG-FT |
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
LCMXO2-256HC-6SG48I
Lattice Semiconductor Corporation
XCV100-4TQ144I
Xilinx Inc.
EP2C5T144I8
Intel
XC2V1000-4FGG456C
Xilinx Inc.
APA1000-FGG896I
Microsemi Corporation
5SGXEA7K3F35C3N
Intel
M1AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
5CGTFD9E5F31C7N
Intel
5AGXMB7G4F35I5N
Intel
EP2S130F1508C5N
Intel