Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-8209-BLKG
Herstellerteilenummer | HSMS-8209-BLKG |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-8209-BLKG |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-8209-BLKG Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - Cross Over |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | 75mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8209-BLKG Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-8209-BLKG-FT |
BAR 64-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 65-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
XCS20XL-4TQG144I
Xilinx Inc.
A42MX09-VQG100A
Microsemi Corporation
EP3C10F256I7N
Intel
10M25DCF256I6G
Intel
XC4008E-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2VP40-5FFG1148C
Xilinx Inc.
A42MX16-2PQ100
Microsemi Corporation
LFEC1E-3Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VQC240-1N
Intel