Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - RF / HSMS-8209-TR1G
Herstellerteilenummer | HSMS-8209-TR1G |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HSMS-8209-TR1G |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
HSMS-8209-TR1G Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Schottky - Cross Over |
Spannung - Peak Reverse (Max) | 4V |
Strom - max | - |
Kapazität @ Vr, F | 0.26pF @ 0V, 1MHz |
Widerstand @ If, F | 14 Ohm @ 5mA, 1MHz |
Verlustleistung (max.) | 75mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Paket / fall | TO-253-4, TO-253AA |
Supplier Device Package | SOT-143-4 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HSMS-8209-TR1G Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HSMS-8209-TR1G-FT |
BAR 67-02V E6327
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6127
Infineon Technologies
BAR 88-02V E6327
Infineon Technologies
BAT 63-02V E6327
Infineon Technologies
BAR6303WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA592E6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6403WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAR6503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BAT1503WE6327HTSA1
Infineon Technologies
BA 595 B6327
Infineon Technologies
XC2V4000-4FFG1517C
Xilinx Inc.
AFS1500-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
XC2VP50-5FFG1152C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152C
Xilinx Inc.
LFXP20E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFX200B-04FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGZ225FF35I4N
Intel