Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / HUF75339G3
Herstellerteilenummer | HUF75339G3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-HUF75339G3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UltraFET™ |
HUF75339G3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 55V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 mOhm @ 75A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 130nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 200W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-247 |
Paket / fall | TO-247-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75339G3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HUF75339G3-FT |
GP2M009A090FG
Global Power Technologies Group
GP2M010A060F
Global Power Technologies Group
GP2M010A065F
Global Power Technologies Group
GP2M012A060F
Global Power Technologies Group
GP2M013A050F
Global Power Technologies Group
GP2M020A050F
Global Power Technologies Group
GP1M003A050HG
Global Power Technologies Group
GP1M003A080H
Global Power Technologies Group
GP1M004A090H
Global Power Technologies Group
GP1M005A050H
Global Power Technologies Group
A54SX32A-TQG176M
Microsemi Corporation
M1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
APA600-FG676I
Microsemi Corporation
5SGSMD6K1F40C2LN
Intel
EP4SE360H29I3
Intel
5SGXEA7N3F45C2LN
Intel
LFXP2-30E-6FT256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX45DF29I3
Intel
EPF10K10LC84-4N
Intel
EP4SGX360HF35I4
Intel