Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / HUF75637P3
Herstellerteilenummer | HUF75637P3 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-HUF75637P3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UltraFET™ |
HUF75637P3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 44A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 44A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 108nC @ 20V |
Vgs (Max) | ±20V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1700pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 155W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220-3 |
Paket / fall | TO-220-3 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUF75637P3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HUF75637P3-FT |
FQP14N15
ON Semiconductor
FQP15P12
ON Semiconductor
FQP16N15
ON Semiconductor
FQP16N25C
ON Semiconductor
FQP17N08
ON Semiconductor
FQP17N08L
ON Semiconductor
FQP18N20V2
ON Semiconductor
FQP18N50V2
ON Semiconductor
FQP19N10
ON Semiconductor
FQP19N10L
ON Semiconductor
EX64-TQ100I
Microsemi Corporation
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AFS600-2FG256I
Microsemi Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
XCS05-3PC84C
Xilinx Inc.
XC2V4000-5FFG1152I
Xilinx Inc.
AGL600V5-FGG144
Microsemi Corporation
EP3SL150F780C4LN
Intel
EPF10K30RC240-4N
Intel
EP1S60F1020C5N
Intel