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ON Semiconductor HUF75639P3-F102

MFG-Teilenummer
HUF75639P3-F102
verfügbare Anzahl
32950 Stücke
Referenzpreis
USD 0.943392
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
- MOSFET N-CH 100V 56A TO220-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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HUF75639P3-F102 Spezifikationen

Herstellerteilenummer HUF75639P3-F102
Zukünftige Teilenummer FT-HUF75639P3-F102
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie -
HUF75639P3-F102 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 56A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 25 mOhm @ 56A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 20V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2000pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 200W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Supplier Device Package TO-220-3
Paket / fall TO-220-3
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF75639P3-F102 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer HUF75639P3-F102-FT

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