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ON Semiconductor HUF76609D3ST

MFG-Teilenummer
HUF76609D3ST
verfügbare Anzahl
95260 Stücke
Referenzpreis
USD 0.331536
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
ON Semiconductor
Kurze Beschreibung
UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
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Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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HUF76609D3ST Spezifikationen

Herstellerteilenummer HUF76609D3ST
Zukünftige Teilenummer FT-HUF76609D3ST
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie UltraFET™
HUF76609D3ST Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 16nC @ 10V
Vgs (Max) ±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 425pF @ 25V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 49W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package TO-252AA
Paket / fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUF76609D3ST Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer HUF76609D3ST-FT

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