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ON Semiconductor HUFA76609D3ST_F085

Name: HUFA76609D3ST_F085
Brand: ON Semiconductor
SKU: HUFA76609D3ST_F085
Availability: InStock
Rating: 4.9 (307 reviews)

MFG-Teilenummer: HUFA76609D3ST_F085

verfügbare Anzahl: 52660 Stücke

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Hersteller: ON Semiconductor

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ MOSFET N-CH 100V 10A DPAK

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: HUFA76609D3ST_F085.pdf

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HUFA76609D3ST_F085 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	HUFA76609D3ST_F085
Zukünftige Teilenummer	FT-HUFA76609D3ST_F085
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
HUFA76609D3ST_F085 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Obsolete
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	10A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	160 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 10V
Vgs (Max)	±16V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	425pF @ 25V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	49W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	TO-252AA
Paket / fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
HUFA76609D3ST_F085 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	HUFA76609D3ST_F085-FT

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