Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / HUFA76609D3
Herstellerteilenummer | HUFA76609D3 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HUFA76609D3 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | UltraFET™ |
HUFA76609D3 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 10A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160 mOhm @ 10A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±16V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 425pF @ 25V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 49W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Supplier Device Package | I-PAK |
Paket / fall | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HUFA76609D3 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HUFA76609D3-FT |
FQU11P06TU
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FQU2N60CTU
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M2GL090-FGG484
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EP3SL200F1517C2N
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5SGXMA3K2F35I3N
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XC5VSX50T-1FFG665C
Xilinx Inc.
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