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Herstellerteilenummer | HVCB2512BDE100M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-HVCB2512BDE100M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | HVC |
HVCB2512BDE100M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Widerstand | 100 MOhms |
Toleranz | ±0.1% |
Leistung (Watt) | 2W |
Zusammensetzung | Thick Film |
Eigenschaften | High Voltage, Pulse Withstanding |
Temperaturkoeffizient | ±25ppm/°C |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C |
Paket / fall | 2512 (6432 Metric) |
Supplier Device Package | 2512 |
Größe / Abmessung | 0.250" L x 0.125" W (6.35mm x 3.18mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.030" (0.76mm) |
Anzahl der Abbrüche | 2 |
Fehlerrate | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
HVCB2512BDE100M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | HVCB2512BDE100M-FT |
RVC2512FT1M00
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT422K
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT511R
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT51R1
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT562K
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT59K0
Stackpole Electronics Inc
RVC2512FT75R0
Stackpole Electronics Inc
RVC2512JT100R
Stackpole Electronics Inc
RVC2512JT150K
Stackpole Electronics Inc
RVC2512JT15R0
Stackpole Electronics Inc
XC4006E-4TQ144C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200HC-5TG144IR1
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX75T-3FG484C
Xilinx Inc.
5SGXEA5K1F35C2N
Intel
A42MX09-1TQ176I
Microsemi Corporation
A42MX09-2PQ160
Microsemi Corporation
M1A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFB1H6F35C6N
Intel