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Infineon Technologies IAUS165N08S5N029ATMA1

Name: IAUS165N08S5N029ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IAUS165N08S5N029ATMA1
Price: 1.748336 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (521 reviews)

MFG-Teilenummer: IAUS165N08S5N029ATMA1

verfügbare Anzahl: 80930 Stücke

Referenzpreis: USD 1.748336

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IAUS165N08S5N029ATMA1.pdf

IAUS165N08S5N029ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IAUS165N08S5N029ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IAUS165N08S5N029ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
IAUS165N08S5N029ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	80V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	165A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.9 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.8V @ 108µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	90nC @ 10V
Vgs (Max)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	6370pF @ 40V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	167W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOG-8-1
Paket / fall	8-PowerSMD, Gull Wing
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUS165N08S5N029ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IAUS165N08S5N029ATMA1-FT

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