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IAUT300N10S5N015ATMA1 Image

Infineon Technologies IAUT300N10S5N015ATMA1

MFG-Teilenummer
IAUT300N10S5N015ATMA1
verfügbare Anzahl
22670 Stücke
Referenzpreis
USD 3.408896
Unser Preis
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Versanddatum
Wir können heute ausliefern
Hersteller
Infineon Technologies
Kurze Beschreibung
OptiMOS™-5 MOSFET75V120V
Bleifreier Status / RoHS-Status
RoHS-konform (bleifrei)
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL)
1 (unbegrenzt)
Datumscode (D / C)
Neu
Produktkategorie
Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln
Lagerressource
Franchise-Händler
Garantie
360 Tage Qualitätsgarantie
Datenblatt
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IAUT300N10S5N015ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer IAUT300N10S5N015ATMA1
Zukünftige Teilenummer FT-IAUT300N10S5N015ATMA1
SPQ / MOQ kontaktiere uns
Verpackungsmaterial Reel/Tray/Tube/Others
Serie OptiMOS™-5
IAUT300N10S5N015ATMA1 Status (Lebenszyklus) Auf Lager
Teilestatus Active
FET-Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C 300A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 275µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs 216nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 16011pF @ 50V
FET-Funktion -
Verlustleistung (max.) 375W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Supplier Device Package PG-HSOF-8-1
Paket / fall 8-PowerSFN
Herkunftsland USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IAUT300N10S5N015ATMA1 Gewicht kontaktiere uns
Ersatzteilnummer IAUT300N10S5N015ATMA1-FT

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