Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / IDB18E120ATMA1
Herstellerteilenummer | IDB18E120ATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IDB18E120ATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IDB18E120ATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 1200V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 31A (DC) |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 2.15V @ 18A |
Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Reverse Recovery Time (trr) | 195ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 100µA @ 1200V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Supplier Device Package | PG-TO263-3 |
Betriebstemperatur - Übergang | -55°C ~ 150°C |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IDB18E120ATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IDB18E120ATMA1-FT |
PMEG2010AEK,115
NXP USA Inc.
RB400D-TP
Micro Commercial Co
RB411D-TP
Micro Commercial Co
RB420D-TP
Micro Commercial Co
RB421D-TP
Micro Commercial Co
RB491D-TP
Micro Commercial Co
CDBFN160-HF
Comchip Technology
CDBV1100-HF
Comchip Technology
CDSV4148-G
Comchip Technology
CDBFN140-HF
Comchip Technology
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel