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Infineon Technologies IGB03N120H2ATMA1

Name: IGB03N120H2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGB03N120H2ATMA1
Price: 0.773184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (553 reviews)

MFG-Teilenummer: IGB03N120H2ATMA1

verfügbare Anzahl: 48740 Stücke

Referenzpreis: USD 0.773184

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: - IGBT 1200V 9.6A 62.5W TO263-3

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - IGBTs - Single

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IGB03N120H2ATMA1.pdf

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IGB03N120H2ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IGB03N120H2ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IGB03N120H2ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	-
IGB03N120H2ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Not For New Designs
IGBT-Typ	-
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.)	1200V
Stromabnehmer (Ic) (max.)	9.6A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)	9.9A
Vce (ein) (max.) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 3A
Leistung max	62.5W
Energie wechseln	290µJ
Eingabetyp	Standard
Gate Charge	22nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C	9.2ns/281ns
Testbedingung	800V, 3A, 82 Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)	-
Betriebstemperatur	-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Supplier Device Package	PG-TO263-3
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGB03N120H2ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IGB03N120H2ATMA1-FT

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