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Infineon Technologies IGT60R070D1ATMA1

Name: IGT60R070D1ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R070D1ATMA1
Price: 12.959184 USD
Availability: InStock
Rating: 4.9 (580 reviews)

MFG-Teilenummer: IGT60R070D1ATMA1

verfügbare Anzahl: 65010 Stücke

Referenzpreis: USD 12.959184

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IGT60R070D1ATMA1.pdf

IGT60R070D1ATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IGT60R070D1ATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IGT60R070D1ATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolGaN™
IGT60R070D1ATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	31A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 2.6mA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	380pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-3
Paket / fall	8-PowerSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R070D1ATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IGT60R070D1ATMA1-FT

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