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Infineon Technologies IGT60R190D1SATMA1

Name: IGT60R190D1SATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IGT60R190D1SATMA1
Price: 7.017928 USD
Availability: InStock
Rating: 4.7 (415 reviews)

MFG-Teilenummer: IGT60R190D1SATMA1

verfügbare Anzahl: 18040 Stücke

Referenzpreis: USD 7.017928

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Hersteller: Infineon Technologies

Kurze Beschreibung: CoolGaN™ IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

Bleifreier Status / RoHS-Status: RoHS-konform (bleifrei)

Feuchtigkeitsempfindlichkeitsgrad (MSL): 1 (unbegrenzt)

Datumscode (D / C): Neu

Produktkategorie: Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln

Lagerressource: Franchise-Händler

Garantie: 360 Tage Qualitätsgarantie

Datenblatt: IGT60R190D1SATMA1.pdf

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IGT60R190D1SATMA1 Spezifikationen

Herstellerteilenummer	IGT60R190D1SATMA1
Zukünftige Teilenummer	FT-IGT60R190D1SATMA1
SPQ / MOQ	kontaktiere uns
Verpackungsmaterial	Reel/Tray/Tube/Others
Serie	CoolGaN™
IGT60R190D1SATMA1 Status (Lebenszyklus)	Auf Lager
Teilestatus	Active
FET-Typ	N-Channel
Technologie	GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600V
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C	12.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	-
Vgs (th) (Max) @ Id	1.6V @ 960µA
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Vgs (Max)	-10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	157pF @ 400V
FET-Funktion	-
Verlustleistung (max.)	55.5W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-HSOF-8-3
Paket / fall	8-PowerSFN
Herkunftsland	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
IGT60R190D1SATMA1 Gewicht	kontaktiere uns
Ersatzteilnummer	IGT60R190D1SATMA1-FT

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