Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - einzeln / IGT60R190D1SATMA1
Herstellerteilenummer | IGT60R190D1SATMA1 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IGT60R190D1SATMA1 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | CoolGaN™ |
IGT60R190D1SATMA1 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
FET-Typ | N-Channel |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.6V @ 960µA |
Gateladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | -10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 157pF @ 400V |
FET-Funktion | - |
Verlustleistung (max.) | 55.5W (Tc) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Supplier Device Package | PG-HSOF-8-3 |
Paket / fall | 8-PowerSFN |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IGT60R190D1SATMA1 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IGT60R190D1SATMA1-FT |
IPI60R099CPXKSA1
Infineon Technologies
IPI60R165CPAKSA1
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IPI60R190C6XKSA1
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IPI60R199CPXKSA1
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IPI60R250CPAKSA1
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IPI60R280C6XKSA1
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IPI60R520CPAKSA1
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