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Herstellerteilenummer | IHB1BV3R9M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB1BV3R9M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB1BV3R9M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 3.9µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 10.6A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 6 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.660" Dia (16.76mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB1BV3R9M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB1BV3R9M-FT |
S4924R-333K
API Delevan Inc.
S4924R-334H
API Delevan Inc.
S4924R-334J
API Delevan Inc.
S4924R-334K
API Delevan Inc.
S4924R-335H
API Delevan Inc.
S4924R-335J
API Delevan Inc.
S4924R-335K
API Delevan Inc.
S4924R-391H
API Delevan Inc.
S4924R-391J
API Delevan Inc.
S4924R-391K
API Delevan Inc.
XC3S1200E-4FT256C
Xilinx Inc.
XC7S100-2FGGA676C
Xilinx Inc.
A3P400-2FGG484
Microsemi Corporation
A42MX16-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE65L04F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF27I7
Intel
EP1K10FC256-1N
Intel
A42MX16-3PQ160
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FTN324I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA5M13C8N
Intel