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Herstellerteilenummer | IHB2EB3R9M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB2EB3R9M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB2EB3R9M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 3.9µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 13.5A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.825" Dia (20.96mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB2EB3R9M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB2EB3R9M-FT |
S4924R-825K
API Delevan Inc.
IHB1BV100K
Vishay Dale
IHB1BV101K
Vishay Dale
IHB1BV120K
Vishay Dale
IHB1BV121K
Vishay Dale
IHB1BV150K
Vishay Dale
IHB1BV151K
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IHB1BV180K
Vishay Dale
IHB1BV1R0M
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IHB1BV220K
Vishay Dale
10M04DAF256I7G
Intel
5SGXEB5R2F40I3LN
Intel
10M08SCU169I7G
Intel
EP4CE22E22C6
Intel
5SGXMBBR2H43C2LN
Intel
A42MX16-TQ176I
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-6LFN1156I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-35EA-6FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C120F780I7N
Intel