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Herstellerteilenummer | IHB3BV8R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB3BV8R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB3BV8R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 17.6A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 4 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.100" Dia (27.94mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.840" (21.34mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB3BV8R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB3BV8R2M-FT |
IHB2BV180K
Vishay Dale
IHB2BV181K
Vishay Dale
IHB2BV182K
Vishay Dale
IHB2BV1R0M
Vishay Dale
IHB2BV1R8M
Vishay Dale
IHB2BV220K
Vishay Dale
IHB2BV221K
Vishay Dale
IHB2BV222K
Vishay Dale
IHB2BV270K
Vishay Dale
IHB2BV271K
Vishay Dale
XC4VFX100-10FF1517C
Xilinx Inc.
XC7A12T-2CSG325C
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5QN208E
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-1FG256K
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP4CE10F17I8LN
Intel
5SGXEA7K3F40C2
Intel
XC7V2000T-1FHG1761C
Xilinx Inc.
LFXP10C-4FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2X
Intel