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Herstellerteilenummer | IHB4BV123K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB4BV123K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB4BV123K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 12mH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 900mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 3.04 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.600" Dia (40.64mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.030" (26.16mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV123K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB4BV123K-FT |
IHB2EB100K
Vishay Dale
IHB2EB101K
Vishay Dale
IHB2EB102K
Vishay Dale
IHB2EB120K
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LCMXO2-1200ZE-3TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HE-6TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
MPF300TL-FCG484E
Microsemi Corporation
MPF300TS-FCG484I
Microsemi Corporation
EP2C50F484C8N
Intel
XC2V2000-5BG575I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CSG281
Microsemi Corporation
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX090N3F40E2LG
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EP20K400EBC652-1XD
Intel