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Herstellerteilenummer | IHB4BV181K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB4BV181K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB4BV181K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 180µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 7.1A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 45 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.600" Dia (40.64mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.030" (26.16mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4BV181K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB4BV181K-FT |
IHB2EB122K
Vishay Dale
IHB2EB150K
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IHB2EB151K
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IHB2EB1R2M
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IHB2EB1R5M
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XCKU035-2FBVA900I
Xilinx Inc.
M2GL010T-1VFG400
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQG100I
Microsemi Corporation
5CGXBC4C6F27C7N
Intel
10CL055YF484I7G
Intel
EPF10K50VFC484-1
Intel
5SGXMB6R3F40I3N
Intel
XC5VLX220-1FF1760C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000ZE-3FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation