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Herstellerteilenummer | IHB4EB100K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB4EB100K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB4EB100K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 21.4A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 5 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.600" Dia (40.64mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.030" (26.16mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB4EB100K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB4EB100K-FT |
IHB2EB4R7M
Vishay Dale
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EPF6024ATC144-2N
Intel
XCS05XL-5VQ100C
Xilinx Inc.
A3P400-1PQ208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E3H29C3N
Intel
5SEE9H40C4N
Intel
5SGXEA9K3H40C2N
Intel
AGL400V5-CS196I
Microsemi Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K100EQC240-2N
Intel
5SGXEA3H2F35C2LN
Intel