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Herstellerteilenummer | IHB5BV2R2M |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB5BV2R2M |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB5BV2R2M Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 36.2A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 2 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 1.600" Dia (40.64mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.450" (36.83mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB5BV2R2M Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB5BV2R2M-FT |
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ICE40HX1K-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCKU095-1FFVC1517I
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XC3S200-4VQ100I
Xilinx Inc.
XC3S50-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC4003E-2VQ100C
Xilinx Inc.
APA300-FGG256A
Microsemi Corporation
APA600-FGG256A
Microsemi Corporation
5SGXEA5N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152I4N
Intel
XC4010E-4HQ208C
Xilinx Inc.