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Herstellerteilenummer | IHB6EB473K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHB6EB473K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHB |
IHB6EB473K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | - |
Induktivität | 47mH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 800mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 6.19 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 130°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Radial |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 2.000" Dia (50.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 1.500" (38.10mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHB6EB473K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHB6EB473K-FT |
IHB4EB330K
Vishay Dale
IHB4EB331K
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IHB5BV103K
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XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel