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Herstellerteilenummer | IHD1EB8R2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHD1EB8R2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHD |
IHD1EB8R2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±15% |
Aktuelle Bewertung | 3A |
Strom - Sättigung | 2.5A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 28 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.270" Dia x 0.700" L (6.85mm x 17.78mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1EB8R2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHD1EB8R2L-FT |
IHD3EB100L
Vishay Dale
IHD3EB101L
Vishay Dale
IHD3EB120L
Vishay Dale
IHD3EB121L
Vishay Dale
IHD3EB150L
Vishay Dale
IHD3EB151L
Vishay Dale
IHD3EB180L
Vishay Dale
IHD3EB181L
Vishay Dale
IHD3EB220L
Vishay Dale
IHD3EB221L
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel