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Herstellerteilenummer | IHD1ER821L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHD1ER821L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHD |
IHD1ER821L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 820µH |
Toleranz | ±15% |
Aktuelle Bewertung | 360mA |
Strom - Sättigung | 260mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.98 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.270" Dia x 0.700" L (6.85mm x 17.78mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1ER821L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHD1ER821L-FT |
IHD3EB682L
Vishay Dale
IHD3EB683L
Vishay Dale
IHD3EB821L
Vishay Dale
IHD3EB822L
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Vishay Dale
IHD3ER102L
Vishay Dale
IHD3ER104L
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IHD3ER152L
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IHD3ER183L
Vishay Dale
IHD3ER271L
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel