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Herstellerteilenummer | IHD1ER822L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHD1ER822L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHD |
IHD1ER822L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 8.2mH |
Toleranz | ±15% |
Aktuelle Bewertung | 110mA |
Strom - Sättigung | 80mA |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 20.8 Ohm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.270" Dia x 0.700" L (6.85mm x 17.78mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHD1ER822L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHD1ER822L-FT |
IHD3EB683L
Vishay Dale
IHD3EB821L
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IHD3EB822L
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A54SX32A-FGG484
Microsemi Corporation
M1A3P600-2FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-FG256A
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50EFC484-1
Intel
5SGXEA7K2F40I2LN
Intel
XC6SLX16-2CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-70E-7FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX230DF29C4N
Intel
5SGXEA3H3F35C3N
Intel