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Herstellerteilenummer | IHLP6767GZER8R2M11 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHLP6767GZER8R2M11 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHLP-6767GZ-11 |
IHLP6767GZER8R2M11 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Molded |
Material - Kern | - |
Induktivität | 8.2µH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 21A |
Strom - Sättigung | 18A |
Abschirmung | Shielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 8.1 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | 10MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.675" L x 0.675" W (17.15mm x 17.15mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.276" (7.00mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHLP6767GZER8R2M11 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHLP6767GZER8R2M11-FT |
ILSB1206ER4R7K
Vishay Dale
ILSB1206ER100K
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ILSB1206ER1R0K
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ILSB1206ER1R8K
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ILSB1206ER220K
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
Lattice Semiconductor Corporation
A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel