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Herstellerteilenummer | IHSM5832ER2R2L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHSM5832ER2R2L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER2R2L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.2µH |
Toleranz | ±15% |
Aktuelle Bewertung | 8.5A |
Strom - Sättigung | 4A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 15 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.285" (7.24mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER2R2L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHSM5832ER2R2L-FT |
IHSM7832ER221L
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel