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Herstellerteilenummer | IHSM5832ER2R7L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHSM5832ER2R7L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER2R7L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.7µH |
Toleranz | ±15% |
Aktuelle Bewertung | 8.4A |
Strom - Sättigung | 3.7A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 17 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.285" (7.24mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER2R7L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHSM5832ER2R7L-FT |
7440320018
Wurth Electronics Inc.
744032002
Wurth Electronics Inc.
7440320027
Wurth Electronics Inc.
7440320039
Wurth Electronics Inc.
744032004
Wurth Electronics Inc.
7440320056
Wurth Electronics Inc.
744032008
Wurth Electronics Inc.
744032100
Wurth Electronics Inc.
744032121
Wurth Electronics Inc.
744032150
Wurth Electronics Inc.
XC2VP30-6FGG676C
Xilinx Inc.
AGL600V2-FG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BGG456I
Microsemi Corporation
A3PN125-1VQ100I
Microsemi Corporation
XC6VLX365T-1FF1156I
Xilinx Inc.
LFE3-95E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F35I2LG
Intel
5AGXBA5D4F35I5N
Intel
EP2S180F1508C4N
Intel
EPF81188AQC240-4
Intel