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Herstellerteilenummer | IHSM5832ER2R7L |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IHSM5832ER2R7L |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IHSM-5832 |
IHSM5832ER2R7L Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | - |
Material - Kern | Ferrite |
Induktivität | 2.7µH |
Toleranz | ±15% |
Aktuelle Bewertung | 8.4A |
Strom - Sättigung | 3.7A |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 17 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenz - Eigenresonanz | - |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | Nonstandard |
Supplier Device Package | - |
Größe / Abmessung | 0.640" L x 0.320" W (16.26mm x 8.13mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.285" (7.24mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IHSM5832ER2R7L Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IHSM5832ER2R7L-FT |
7440320018
Wurth Electronics Inc.
744032002
Wurth Electronics Inc.
7440320027
Wurth Electronics Inc.
7440320039
Wurth Electronics Inc.
744032004
Wurth Electronics Inc.
7440320056
Wurth Electronics Inc.
744032008
Wurth Electronics Inc.
744032100
Wurth Electronics Inc.
744032121
Wurth Electronics Inc.
744032150
Wurth Electronics Inc.
XC3S1200E-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1CQ208
Microsemi Corporation
EP4CE6E22A7N
Intel
5SGXMA9N2F45I2LN
Intel
5SGXMA4K3F35I3LN
Intel
XA7A75T-1CSG324I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6FN1156C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N4F45E3LG
Intel
EPF10K30RI240-4N
Intel