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Herstellerteilenummer | IM02BH3R3J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM02BH3R3J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM |
IM02BH3R3J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 270mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 90MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02BH3R3J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM02BH3R3J-FT |
IM01ESR15K
Vishay Dale
IM01ESR18K
Vishay Dale
IM01ESR22K
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IM01EV100K
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IM01RU1R0K
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IM01RU8R2K
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IM01RUR12K
Vishay Dale
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel