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Herstellerteilenummer | IM02EBR10K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM02EBR10K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM |
IM02EBR10K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Phenolic |
Induktivität | 100nH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 1.35A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 80 mOhm Max |
Q @ Freq | 40 @ 25MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 680MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.5MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.41mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02EBR10K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM02EBR10K-FT |
IMC1812RV390K
Vishay Dale
IMC1812RV391K
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IMC1812RV39NM
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IMC1812RV3R3J
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IMC1812RV470K
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IMC1812RV471J
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XC3S700A-4FG400C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-2PQ208I
Microsemi Corporation
A42MX36-1CQ256B
Microsemi Corporation
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEB6R3F40C2N
Intel
10AX048E4F29E3LG
Intel
LFXP2-5E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H4F34I3SGES
Intel
EP1S80F1508C7N
Intel