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Herstellerteilenummer | IM02ST3R3J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM02ST3R3J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM |
IM02ST3R3J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 270mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 850 mOhm Max |
Q @ Freq | 45 @ 7.9MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 90MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.9MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.095" Dia x 0.250" L (2.42mm x 6.35mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM02ST3R3J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM02ST3R3J-FT |
IM02SH680J
Vishay Dale
IM02SH680K
Vishay Dale
IM02SH681J
Vishay Dale
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IM02SH820K
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IM02SH821K
Vishay Dale
IM02SH8R2J
Vishay Dale
A54SX16A-2TQG144
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FGG676I
Xilinx Inc.
APA600-FGG484A
Microsemi Corporation
APA600-FG256
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR
Lattice Semiconductor Corporation
EP1C3T100I7
Intel
A3PN250-1VQG100
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8
Intel
5SGXEA7H3F35C2N
Intel
5AGXMA5G4F31C4N
Intel