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Herstellerteilenummer | IM04BH910J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM04BH910J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM |
IM04BH910J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 91µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 136mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 4.3 Ohm Max |
Q @ Freq | 50 @ 2.5MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 10MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.5MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.155" Dia x 0.375" L (3.94mm x 9.53mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM04BH910J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM04BH910J-FT |
IM02STR47J
Vishay Dale
IM02STR47K
Vishay Dale
IM02STR51J
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IM02STR56G
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IM02STR82J
Vishay Dale
IM02STR82K
Vishay Dale
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel