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Herstellerteilenummer | IM04RU510J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM04RU510J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM |
IM04RU510J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 51µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 167mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 2.85 Ohm Max |
Q @ Freq | 55 @ 2.5MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 12.7MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.5MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.155" Dia x 0.375" L (3.94mm x 9.53mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM04RU510J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM04RU510J-FT |
IM04ES151J
Vishay Dale
IM04ES180K
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XC6SLX9-2FT256C
Xilinx Inc.
AX500-FGG484
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FG484I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F40I3LN
Intel
10CL025YE144C6G
Intel
XC6VLX75T-L1FF784I
Xilinx Inc.
XC7K325T-1FBG900C
Xilinx Inc.
A54SX08A-2TQ100
Microsemi Corporation
A40MX04-3PLG84
Microsemi Corporation
LFEC3E-3FN256C
Lattice Semiconductor Corporation