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Herstellerteilenummer | IM04SH111J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM04SH111J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM |
IM04SH111J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 110µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 128mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 4.9 Ohm Max |
Q @ Freq | 60 @ 790kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 8.9MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 790kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.155" Dia x 0.375" L (3.94mm x 9.53mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM04SH111J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM04SH111J-FT |
IM04RU161J
Vishay Dale
IM04RU180J
Vishay Dale
IM04RU180K
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IM04RU1R2K
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IM04RU1R5F
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EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel