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Herstellerteilenummer | IM10EZ912J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM10EZ912J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM |
IM10EZ912J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Obsolete |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 9.1mH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 49mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 68 Ohm Max |
Q @ Freq | 80 @ 250kHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 105°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 250kHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.240" Dia x 0.740" L (6.10mm x 18.80mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM10EZ912J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM10EZ912J-FT |
IM06SS331J
Vishay Dale
IM06SS3R3K
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LCMXO2-4000HE-5TG144I
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K40LV-3BQC
Microchip Technology
XCVU080-H1FFVD1517E
Xilinx Inc.
XC3S1600E-4FG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208I
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG484I
Microsemi Corporation
AGLN250V5-VQG100
Microsemi Corporation
LFE2M50E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EQC208-2XN
Intel