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Herstellerteilenummer | IM10RFCMBH121J13 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IM10RFCMBH121J13 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IM-10RFCM-13 |
IM10RFCMBH121J13 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Molded |
Material - Kern | Iron |
Induktivität | 120µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 200mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 7.5 Ohm Max |
Q @ Freq | 95 @ 1.5MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 11MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 1.5MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / fall | Axial |
Supplier Device Package | Axial |
Größe / Abmessung | 0.250" Dia x 0.600" L (6.35mm x 15.24mm) |
Höhe - sitzend (max.) | - |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IM10RFCMBH121J13 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IM10RFCMBH121J13-FT |
IMCH1812ER8R2K
Vishay Dale
RLB1014-472KL
Bourns Inc.
TCK-151
Traco Power
CH-25
Signal Transformer
DSH-31-0001
Schurter Inc.
DSH-31-0004
Schurter Inc.
DSH-31-0005
Schurter Inc.
L0805C4R7MPWST
KEMET
1623959-1
TE Connectivity Passive Product
3615A101K
TE Connectivity Passive Product
EPF10K20TC144-4
Intel
LFEC3E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL010-1VF400
Microsemi Corporation
AGL030V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40I2N
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
A42MX24-1PQ160
Microsemi Corporation
LFE2-20E-6F672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-35SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29C6ES
Intel