Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / IMB10AT110
Herstellerteilenummer | IMB10AT110 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMB10AT110 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IMB10AT110 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 100mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 2.2 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 47 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 80 @ 10mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 250MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMB10AT110 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMB10AT110-FT |
XP0621300L
Panasonic Electronic Components
PUML1,115
NXP USA Inc.
XP0411100L
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XP0411200L
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XP0411300L
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XP0411400L
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XP0421000L
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