Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, vorgespannt / IMB5AT108
Herstellerteilenummer | IMB5AT108 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMB5AT108 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | - |
IMB5AT108 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Not For New Designs |
Transistortyp | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Stromabnehmer (Ic) (max.) | 30mA |
Spannung - Durchschlag Kollektoremitter (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) | 22 kOhms |
Widerstand - Emitterbasis (R2) | 22 kOhms |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) bei Ic, Vce | 56 @ 5mA, 5V |
Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic | - |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | - |
Frequenz - Übergang | - |
Leistung max | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | SC-74, SOT-457 |
Supplier Device Package | SMT6 |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMB5AT108 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMB5AT108-FT |
PUMD48,125
Nexperia USA Inc.
PUMH9,115
Nexperia USA Inc.
PUMH9,125
Nexperia USA Inc.
PBLS1503Y,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4005Y,115
Nexperia USA Inc.
PUMH10,125
Nexperia USA Inc.
PUMH17,115
Nexperia USA Inc.
PUMH4,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4001Y,115
Nexperia USA Inc.
PBLS4003Y,115
Nexperia USA Inc.
XC2V250-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-3FGG900C
Xilinx Inc.
ICE65L01F-LQN84C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN250-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4CE30F23C7
Intel
5SGSED8K3F40C4N
Intel
5CGXFC5F6M11I7N
Intel
5SGXMA3K2F35I3LN
Intel
10AX016E4F29E3SG
Intel
EP1K30QC208-1N
Intel