Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / IMBD4448-E3-08
Herstellerteilenummer | IMBD4448-E3-08 |
---|---|
Zukünftige Teilenummer | FT-IMBD4448-E3-08 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
IMBD4448-E3-08 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMBD4448-E3-08 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMBD4448-E3-08-FT |
VS-90EPS12L-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06FPPBF
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETU3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETX06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX0806FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel