Zuhause / Produkte / Diskrete Halbleiterprodukte / Dioden - Gleichrichter - Single / IMBD4448-HE3-18
Herstellerteilenummer | IMBD4448-HE3-18 |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMBD4448-HE3-18 |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | Automotive, AEC-Q101 |
IMBD4448-HE3-18 Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Diodentyp | Standard |
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 75V |
Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io) | 150mA |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10mA |
Geschwindigkeit | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Reverse Recovery Time (trr) | 4ns |
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Kapazität @ Vr, F | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Supplier Device Package | SOT-23 |
Betriebstemperatur - Übergang | 150°C (Max) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMBD4448-HE3-18 Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMBD4448-HE3-18-FT |
VS-15ETX06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX0806FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETL06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETH3006FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4TU2006TFP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-15ETH06FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETL1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-ETX1506FP-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-E4TU2006FP-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC7S100-1FGGA484C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003-2AI
Microchip Technology
EP1S20F484I6N
Intel
XC2VP40-6FFG1152C
Xilinx Inc.
AT6003-2JC
Microchip Technology
10AX115S2F45I2LG
Intel
EPF10K100ABC356-3
Intel
EP1C12F324C6
Intel