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Herstellerteilenummer | IMC1008ER82NJ |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1008ER82NJ |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1008 |
IMC1008ER82NJ Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Ceramic |
Induktivität | 82nH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 1A |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 60 @ 350MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1.1GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 100MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1008 (2520 Metric) |
Supplier Device Package | 1008 (2520 Metric) |
Größe / Abmessung | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.075" (1.90mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1008ER82NJ Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1008ER82NJ-FT |
IMC2220ER560K
Vishay Dale
IMC2220ER562J
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A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300E-5UWG81CTR50
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A1010B-1PL68C
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I4
Intel
XC7A200T-3FBG484E
Xilinx Inc.
XC4VFX60-11FF1152C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6FN900I
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LFE2M70E-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE55F29C7
Intel