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Herstellerteilenummer | IMC1210BN100K |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1210BN100K |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1210 |
IMC1210BN100K Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 10µH |
Toleranz | ±10% |
Aktuelle Bewertung | 189mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 2.1 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 2.52MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 33MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 2.52MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN100K Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1210BN100K-FT |
ISC1210ET220K
Vishay Dale
ISC1210SY100J
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ISC1210SY150K
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A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel