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Herstellerteilenummer | IMC1210BN18NM |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1210BN18NM |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1210 |
IMC1210BN18NM Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Non-Magnetic |
Induktivität | 18nH |
Toleranz | ±20% |
Aktuelle Bewertung | 624mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 180 mOhm Max |
Q @ Freq | 30 @ 50MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 1GHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 50MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN18NM Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1210BN18NM-FT |
ISC1210SY220J
Vishay Dale
ISC1210SY220K
Vishay Dale
ISC1210SY22NM
Vishay Dale
ISC1210SY270J
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ISC1210SY270K
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ISC1210SY27NM
Vishay Dale
ISC1210SY2R2J
Vishay Dale
ISC1210SY2R2K
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ISC1210SY2R7J
Vishay Dale
ISC1210SY2R7K
Vishay Dale
XC6SLX150T-3FGG676I
Xilinx Inc.
M1AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A42MX09-1VQ100M
Microsemi Corporation
AGLN125V5-ZVQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F35I3LN
Intel
XC7VX330T-2FF1157C
Xilinx Inc.
5CGXBC9A7U19C8N
Intel
5AGTMC7G3F31I5N
Intel
EP3C25F324C8
Intel
EP20K100EFI324-2X
Intel