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Herstellerteilenummer | IMC1210BN3R3J |
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Zukünftige Teilenummer | FT-IMC1210BN3R3J |
SPQ / MOQ | kontaktiere uns |
Verpackungsmaterial | Reel/Tray/Tube/Others |
Serie | IMC-1210 |
IMC1210BN3R3J Status (Lebenszyklus) | Auf Lager |
Teilestatus | Active |
Art | Wirewound |
Material - Kern | Iron Powder |
Induktivität | 3.3µH |
Toleranz | ±5% |
Aktuelle Bewertung | 260mA |
Strom - Sättigung | - |
Abschirmung | Unshielded |
Gleichstromwiderstand (DCR) | 1.2 Ohm Max |
Q @ Freq | 30 @ 7.96MHz |
Frequenz - Eigenresonanz | 60MHz |
Bewertungen | - |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
Induktivitätsfrequenz - Test | 7.96MHz |
Eigenschaften | - |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / fall | 1210 (3225 Metric) |
Supplier Device Package | 1210 |
Größe / Abmessung | 0.126" L x 0.098" W (3.20mm x 2.49mm) |
Höhe - sitzend (max.) | 0.095" (2.41mm) |
Herkunftsland | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
IMC1210BN3R3J Gewicht | kontaktiere uns |
Ersatzteilnummer | IMC1210BN3R3J-FT |
ISC1210SY68NK
Vishay Dale
ISC1210SY68NM
Vishay Dale
ISC1210SY6R8J
Vishay Dale
ISC1210SY6R8K
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ISC1210SY820J
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ISC1210SY820K
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ISC1210SY82NK
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ISC1210SY82NM
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ISC1210SY8R2J
Vishay Dale
ISC1210SY8R2K
Vishay Dale
XC3S50AN-5TQG144C
Xilinx Inc.
XA3S200-4FTG256Q
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3P250-1FGG256
Microsemi Corporation
A3PN125-ZVQ100I
Microsemi Corporation
EP20K300EBC672-2X
Intel
10AX016C3U19E2LG
Intel
APA075-FGG144A
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
ICE40LP384-CM81TR
Lattice Semiconductor Corporation